报告题目:

宽禁带半导体低维结构的精准构建与光电应用

报告人:

王潇璇

所在单位:

东南大学

报告人简介:

wxxseu@seu.edu.cn

报告摘要:

报告人简介：

王潇璇，东南大学至善博士后。2012-2016，西北大学物理学本科；2016-2022，东南大学硕博连读，工学博士研究生。师从东南大学特聘教授、国家杰出青年基金获得者徐春祥教授，主要从事宽禁带半导体材料微纳结构的制备与光电子学的研究。

摘要：

低维半导体是具有在一维、二维或三维空间中具有特殊结构的半导体微纳结构，具有独特的电子结构和物理性质。一维核壳纳米结构为表界面工程设计和新型微纳器件的构建提供了创新研究的空间，但如何实现可控制备却是一个挑战。我们以光电性能优异的ZnO纳米棒阵列为核，采用经典的磁控溅射技术生长了一系列完美的半导体与半导体等不同的核壳结构，实现了从真空紫外到日盲紫外波段优异的光电响应，协同利用了热释电效应构建了宽光谱快速响应的光电探测器。此外，球形微纳结构具有更高的光学限域能力，在光电器件应用中具有独特的优势。我们采用激光烧蚀法可控合成了ZnO微球，并系统研究了WGM激光特性与进一步的模式调控，并应用在异质结发光器件中，为低维半导体光电子器件的发展提供了新的思路和有效手段。